제품

New hard mask strip 장비

소자의 패턴 크기가 점점 작아짐에 따라 형성해야 할 패턴의 종횡비(aspect ratio)가 증가하고 있습니다. 이로 인하여 패턴 형성공정에서 식각공정 동안 높은 내성을 갖는 막(hardmask)이 필요하게 되었습니다. 하지만 이런 하드마스크는 식각 후 전통적인 제거 공정으로는 제거되지 않는 문제점을 안고 있었습니다. OMNIS는 산화막 및 질화막과 같은 하드마스크의 하부막들에 대하여 선택적으로 제거할 수 있는 높은 선택비가 장점입니다.

제품 라인업
  • Product specification
  • Unique product for doped hard mask removal
  • Extreme selectivity for dielectric films
  • Excellent hard mask strip performance without pattern damage
  • Si oxidation controllability